2002 May 28 4
NXP Semiconductors
Product data sheet
High-speed switching diode BAS216
GRAPHICAL DATA
0
0 100 200T ( C)amb
o
500
MSA570
250
Ptot
(mW)
Device mounted on an FR4 printed-circuit board.
Fig.2 Maximum permissible total power
dissipation as a function of ambient
temperature.
handbook, halfpage300
0
021
VF
(V)
IF
(mA)
100
200
MBG382
(1) (3)(2)
(1) Tj
= 150
°C; typical values.
(2) Tj
= 25
°C; typical values.
(3) Tj
= 25
°C; maximum values.
Fig.3 Forward current as a function of forward
voltage.
2
handbook, full pagewidth10
MBG704
10
tp
(
μs)
1
IFSM
(A)
10?1
104
102
103
10
1
Fig.4 Maximum permissible non-repetitive peak forward current as a function of pulse duration.
Based on square wave currents.
Tj
= 25
°C prior to surge.
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